IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
关键字：
3D 内存 存储 三星
联电昨（2）日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小逾45％，联电表示，此技术将应用于手机、物联网和AR/VR，为加速5G世代铺路，且该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。 联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中
关键字：
5G 联电 RFSOI 3D IC
近日，晶圆代工大厂联电举行法说会，公布2024年第一季财报，合并营收546.3亿元新台币，较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%，较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%，归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示，由于电脑领域需求回升，第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%，成本控管及营运效率提升，仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下，特殊制程占总营收
关键字：
联电 3D IC
● The InvenSense SmartSonicTM ICU-10201 高性能超声波 ToF 传感器搭载强大的嵌入式处理器并扩展了存储空间， 能在芯片上实现完整的应用算法● 非常适合物联网 (IoT) 和机器人应用，MEMS 传感器可满足避障、材质识别和液位测量应用的高精度测量要求● ICU-10201现已全面上市，可在全球多家代理商订购TDK株式会社隆重宣布其具有片上处理能力的 InvenSense &n
关键字：
TDK 时间飞行传感器 ToF 机器人应用
光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
关键字：
3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式发布，是对我们3D视觉相机的一次绝佳更新。本次发布中，我们全新的Omni Engine有了更惊人的性能提高。Omni v2提供了更长的工作距离，速度更快，点云质量更好，特别是在透明物体上。升级要点· Omni Engine v.2我们用于捕捉透明度的最先进的3D技术已经获得了重大升级。Omni v2显著减少了与成像透明物体相关的点云伪影和错误并且可以比以前快约35%地生成这些高质量的点云。当在高端GPU上运行时，我们推荐的预设和配置的捕获时间从490毫秒减少到约315毫秒。
关键字：
Zivid 3D 机器人
在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
关键字：
3D DRAM
据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
关键字：
3D NAND 集邦咨询
VL53L5、VL53L7、VL53L8都是基于ST的FlightSense技术的多区飞行时间（ToF）传感器。所有ST多区飞行时间传感器有以下共同特点：✦ 都使用直方图，并且拥有4X4或8X8个区域。✦ 具备自主模式，无需与芯片进行交互。一旦设置了开始及中断时间，它会在触发事件出现时自动中断。✦ 通过I2C接口，传输速率可达1兆赫。对于那些产生数据量巨大的应用就非常方便。✦ 具备运动指示器，能够提醒您是否有动作发生。✦ 具有相同的软件驱动程序，在STM3
关键字：
ToF ST 传感器
从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
关键字：
3D DRAM 存储
如果你对飞行时间不了解，别担心，你来对地方了。飞行时间一词几乎就是字面意思，只不过飞行的对象是波长为940纳米，肉眼完全不可见的“光子”。我们发出一束激光；光子撞击某个物体并反弹回来。当光子反弹回来时，我们停止计时，获得光飞行时长，借此确定物体与我们之间的距离（以毫米为单位）。这项技术被称为光飞行时间距离测量（flight sense），该技术功耗相对较低，远远低于相机。飞行时间的概念很简单，您只需要使用一个小模块便可轻松将这个“简单”的技术应用在您的方案中。而这个模块本身并不简单，不仅仅是一片封装在塑料
关键字：
飞行时间 传感器 ToF
开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
关键字：
3D NAND
● HAL 3930-4100（单芯片）和 HAR 3930-4100（双芯片）是两款精确的霍尔效应位置传感器，具备稳健的杂散场补偿能力，并配备 PWM 或 SENT 输出接口● 单芯片传感器已定义为 ASIL C 级，可以集成到汽车安全相关系统中，最高可达 ASIL D 级● 目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
关键字：
TDK ASIL C 3D HAL传感器
3d tof介绍
您好，目前还没有人创建词条3d tof!
欢迎您创建该词条，阐述对3d tof的理解，并与今后在此搜索3d tof的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
官方威廉希尔备用网址
-
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
威廉希尔 官网app
杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473